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序号 计划号 项目名称 性质 制修订 阶段代码
1 20211956-T-469
半导体晶片表面金属沾污的测定  全反射X射线荧光光谱法
T 修订 50.15.02
2 20214216-T-469
III族氮化物半导体材料中位错成像的测试  透射电子显微镜法
T 制定 50.14.03
3 20214647-T-469
半导体晶片近边缘几何形态评价  第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)
T 制定 50.60
4 20220134-T-469
 碳化硅外延片
T 制定 50.60
5 20181808-T-469
半导体材料术语
T 修订 50.60
6 20240149-T-469
氮化硅粉体中铁、铝、钙含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法 
T 制定 20.20
7 20240496-T-469
半导体晶片近边缘几何形态评价  第2部分:边缘卷曲法(ROA)
T 制定 20.20
8 20240494-T-469
碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法
T 制定 20.20
9 20240142-T-469
蓝宝石单晶衬底抛光片
T 修订 20.20
10 20240143-T-469
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试   红外反射法
T 修订 20.20
11 20240136-T-469
金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法
T 制定 20.20
12 20240138-T-469
氮化铝单晶抛光片
T 制定 20.20
13 20240139-T-469
硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
T 修订 20.20
14 20240137-T-469
蓝宝石图形化衬底表面图形几何参数的测定方法
T 制定 20.20
15 20220133-T-469
 埋层硅外延片
T 制定 50.14.03
16 20231108-T-469
碳化硅单晶片微管密度测试方法
T 修订 20.20
17 20231107-T-469
硅片氧沉淀特性的测试  间隙氧含量减少法
T 修订 20.20
18 20231112-T-469
碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法
T 修订 20.20
19 20231109-T-469
太阳能级多晶硅
T 修订 20.20
20 20231111-T-469
半导体单晶材料透过率测试方法
T 制定 20.20
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