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序号 计划号 项目名称 性质 制修订 阶段代码
1 20231112-T-469
碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法
T 修订 50.50
2 20231108-T-469
碳化硅单晶片微管密度测试方法
T 修订 50.50
3 20231113-T-469
半导体晶片直径测试方法
T 修订 50.50
4 20231115-T-469
LED外延芯片用砷化镓衬底
T 修订 50.50
5 20233945-T-610
硅片径向电阻率变化测量方法
T 修订 50.14.06
6 20233951-T-610
非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
T 修订 50.14.06
7 20231111-T-469
半导体单晶材料透过率测试方法
T 制定 50.14.06
8 20111476-Q-469
改良西门子法生产多晶硅安全规范
Q 制定 50.03
9 20240142-T-469
蓝宝石单晶衬底抛光片
T 修订 40.20
10 20240143-T-469
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试   红外反射法
T 修订 40.20
11 20240139-T-469
硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
T 修订 40.20
12 20241932-T-469
碳化硅单晶
T 制定 30.20
13 20250729-T-469
碳化硅晶片表面杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
T 制定 20.20
14 20250822-T-469
200mm碳化硅单晶抛光片
T 制定 20.20
15 20250813-T-469
半导体晶片近边缘几何形态评价  第3部分:扇形区域平整度法(ESFQR、ESFQD、ESBIR)
T 制定 20.20
16 20250731-T-469
碳化硅外延层载流子寿命的测试 瞬态吸收法
T 制定 20.20
17 20241934-T-469
太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片
T 修订 30.20
18 20250577-T-469
化学气相沉积用硅喷射管
T 制定 20.20
19 20250575-T-469
高温扩散用硅舟及硅保温筒
T 制定 20.20
20 20250148-T-469
300 mm硅片表面纳米形貌的评价方法
T 制定 20.20
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