标准项目列表

序号	计划号	项目名称	性质	制修订	阶段代码
1	20250575-T-469	高温扩散用硅舟及硅保温筒	T	制定	50.39
2	20250731-T-469	碳化硅外延层载流子寿命的测试瞬态吸收法	T	制定	50.13.03
3	20250729-T-469	碳化硅晶片表面杂质元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法	T	制定	50.13.03
4	20250151-T-469	碳化硅粉	T	制定	50.50
5	20250093-T-469	氮化铝单晶复合衬底	T	制定	50.50
6	20250087-T-469	集成电路用高纯硅靶材	T	制定	50.50
7	20255680-T-469	半导体晶片近边缘几何形态评价第4部分：不完整区域局部平整度法（PSFQR、PSFQD、PSBIR）	T	制定	30.20
8	20250577-T-469	化学气相沉积用硅喷射管	T	制定	50.50
9	20264548-T-469	硅外延用碳化硅载盘	T	制定	20.20
10	20254549-T-469	光电器件用磷化铟基外延片	T	制定	30.20
11	20255676-T-469	砷化镓基化合物半导体外延片	T	制定	30.20
12	20254534-T-469	Ⅲ族氮化物半导体材料极性的测定透射电子显微镜法	T	制定	30.20
13	20254540-T-469	Ⅲ族氮化物半导体晶圆表面缺陷的测试激光扫描法	T	制定	30.20
14	20254548-T-469	电子器件用氮化镓外延片	T	制定	30.20
15	20263870-T-469	硅片体金属镍、铜含量的测定外扩散法	T	制定	20.20
16	20263873-T-469	硅片体微缺陷的测试方法	T	制定	20.20
17	20263859-T-469	超高纯锗	T	制定	20.20
18	20263861-T-469	增强现实（AR）眼镜用碳化硅单晶片	T	制定	20.20
19	20263860-T-469	边发射半导体激光器外延片增益谱测试方法	T	制定	20.20
20	20263858-T-469	红外探测器用锑化镓单晶	T	制定	20.20
序号	计划号	项目名称	性质	制修订	阶段代码